Unità a stato solido
Capacità: 120 GB
Varianti: 120 GB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
Versioni hardware:
Samsung V2
120 GB 250 GB 500 GB 1 TB 2 TB
Samsung V3
4 TB
Sovrapprovvigionamento: 16,2 GB / 14,5
Produzione: Fine vita
Rilasciato: 8 dicembre 2014
Prezzo al lancio: 100 USD
Numero di parte: MZ-75E120
Mercato: Consumatori
Fisico
Fattore di forma: 2,5
Interfaccia: SATA 6 Gbps
Protocollo: AHCI
Assorbimento: 0,05 W (inattivo)
3,7 W (media)
4,4 W (massimo)
Controllore
Produttore: Samsung
Nome: MGX (S4LN062X01)
Architettura: ARM 32-bit Cortex R4
Numero di core: Dual-Core
Frequenza: 550 MHz
Fonderia: Samsung
Processo: 32 nm
Canali flash: 8
Abilitazioni del chip: 8
Flash NAND
Produttore: Samsung
Nome: V-NAND V2
Numero di parte: K9OKGY8S7C-CCK0
Tipo: TLC
Tecnologia: 32 strati
Velocità: 533 MT/s ... 1000 MT/s
Capacità: 1 chip a 1 Tbit
Topologia: Trappola di carica
Processo: 40 nm
Dimensione del die: 69 mm²
(1,9 Gbit/mm²)
Filiere per chip: 8 filiere a 128 Gbit
Piani per die: 1
Piani per die: 1
Linee di parola: 39 per stringa NAND
82,1% di efficienza verticale
Tempo di lettura (tR): 45 µs
Tempo di programmazione (tProg): 700 µs
Tempo di cancellazione dei blocchi (tBERS): 3500 ms
Velocità di scrittura del disco: 50 MB/s
Resistenza:
(fino a) 7000 cicli P/E
(20500 in modalità SLC)
Dimensione pagina: 16 KB
Dimensione del blocco: 384 pagine
Dimensione del piano: 2732 blocchi
Cache DRAM
Tipo: LPDDR2-1066
Nome: SAMSUNG K4E4E164EE-SGCE
Capacità: 256 MB
(1x 256 MB)
Organizzazione: 2Gx16
Prestazioni
Lettura sequenziale: 540 MB/s
Scrittura sequenziale: 520 MB/s
Lettura casuale: 94.000 IOPS
Scrittura casuale: 88.000 IOPS
Resistenza: 75 TBW
Garanzia: 5 anni
MTBF: 1,5 milioni di ore
Scritture dell'unità al giorno (DWPD): 0.3
Cache in scrittura SLC: circa 3 GB
(solo statica)
Velocità quando la cache è esaurita: circa 150 MB/s
Caratteristiche
TRIM: Sì
SMART: Sì
Protezione da perdita di potenza: No
Crittografia:
AES-128 AES-256 TCG Opal
Illuminazione RGB: No
Compatibile con PS5: No
